Naar inhoud springen

Bestand:Illustration of C-V measurement.gif

Pagina-inhoud wordt niet ondersteund in andere talen.
Uit Wikivoyage

Illustration_of_C-V_measurement.gif(322 × 308 pixels, bestandsgrootte: 93 kB, MIME-type: image/gif, herhalend, 18 frames, 5,4 s)

Beschrijving

Beschrijving
English: C-V measurements can reveal oxide thickness, oxide charges, contamination from mobile ions, and interface trap density in wafer processes. In this image the C-V profile for a bulk p-type substrate MOSCAP with different oxide thickness is shown. The blue curve shown refers to a high frequency C-V profile while the red curve refers to low frequency C-V profile. MOS capacitance is independent of all the frequencies in the accumulation and depletion region. This is because it is here that the total charge is governed by majority carriers. In the inversion region the charge is governed by minority carriers, which forms the inversion layer. Due to finite minority carrier generation time, total charge is not able to follow the gate bias at higher frequencies, which can lead to differences in C-V profiles. Also worth noting here is the shift in threshold voltage with different oxide thickness.
Datum
Bron Image:https://nanohub.org/resources/8818 ; Tool link: http://nanohub.org/resources/451
Auteur Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck
Toestemming
(Hergebruik van dit bestand)
VRT Wikimedia

Dit werk is vrij te gebruiken en voor elk doel. Als u dit materiaal wilt gebruiken buiten de Wikimediaprojecten hoeft u daar geen toestemming voor te vragen, mits u de voorwaarden van de licentie zoals vermeld op deze pagina opvolgt.

Er is een mail ontvangen waaruit blijkt dat de rechthebbende op het auteursrecht toestaat dat dit werk wordt gepubliceerd onder de hier vermelde voorwaarden. De correspondentie hierover is nagekeken door een lid van het Volunteer Response Team (VRT). Dit is opgeslagen in ons archief met toestemmingen. De correspondentie is in te zien door een aantal vertrouwde vrijwilligers die toegang tot het archief hebben.  als ticket #2011041110017773.

Als u vragen heeft over de gearchiveerde correspondentie kunt u deze stellen op deze meldingspagina. Ticket link: https://ticket.wikimedia.org/otrs/index.pl?Action=AgentTicketZoom&TicketNumber=2011041110017773
Zoek andere bestanden met hetzelfde ticket: SDC query (SPARQL)

Licentie

w:nl:Creative Commons
naamsvermelding
Dit bestand is gelicenseerd onder de Creative Commons-licentie Naamsvermelding 3.0 Unported
Naamsvermelding: Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck
De gebruiker mag:
  • Delen – het werk kopiëren, verspreiden en doorgeven
  • Remixen – afgeleide werken maken
Onder de volgende voorwaarden:
  • naamsvermelding – U moet op een gepaste manier aan naamsvermelding doen, een link naar de licentie geven, en aangeven of er wijzigingen in het werk zijn aangebracht. U mag dit op elke redelijke manier doen, maar niet zodanig dat de indruk wordt gewekt dat de licentiegever instemt met uw werk of uw gebruik van zijn werk.

Bijschriften

Beschrijf in één regel wat dit bestand voorstelt

Items getoond in dit bestand

beeldt af

Bestandsgeschiedenis

Klik op een datum/tijd om het bestand te zien zoals het destijds was.

Datum/tijdMiniatuurAfmetingenGebruikerOpmerking
huidige versie17 mei 2010 21:26Miniatuurafbeelding voor de versie van 17 mei 2010 21:26322 × 308 (93 kB)Beatnik8983{{Information |Description={{en|1=C-V measurements can reveal oxide thickness, oxide charges, contamination from mobile ions, and interface trap density in wafer processes. In this image the C-V profile for a bulk p-type substrate MOSCAP with different ox

Geen enkele pagina gebruikt dit bestand.

Globaal bestandsgebruik

De volgende andere wiki's gebruiken dit bestand: